查詢結果
檢索結果筆數(54)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁109-114+449
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:2=43 1999.02[民88.02]
- 頁 次:
頁89-99
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁23-34
-
-
題 名:
分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁1-5
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁99-112
-
-
題 名:
次微米互補型金氧半場效電晶體匹配特性與製程因子的研究:On Matching Properties and Process Factor for Submicronmeter CMOS
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁171-179
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 1996.03[民85.03]
- 頁 次:
頁7-19
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:10=99 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁209-220
-
-
題 名:
The Effect of Doping Profile Variations upon Deep Submicrometer MOSFET's:摻雜濃度分佈變化對深次微米金氧半場效電晶體的效應
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁1-6
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1995.11[民84.11]
- 頁 次:
頁655-665
-
- 題 名:
- 作 者:
-
期刊篇名編次
:
1
- 書刊名:
- 卷 期:
12:1 2005.02[民94.02]
- 頁 次:
頁44-49
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:1=169 2005.01[民94.01]
- 頁 次:
頁128-139
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁26-43
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 民94.03
- 頁 次:
頁123-131
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:10=123 民94.10
- 頁 次:
頁210-218
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17 民85.11
- 頁 次:
頁25-35
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁29-32
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:10=207 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁92-99
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:1=210 2013.01[民102.01]
- 頁 次:
頁102-111
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:3=212 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁82-96