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| 題 名 | 應變下的橫向擴散金氧半場效電晶體之直流與高頻特性分析 |
|---|---|
| 作 者 | 陳坤明; 黃國威; 陳柏源; 邱佳松; 王生圳; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 18:10=207 2012.10[民101.10] |
| 頁 次 | 頁92-99 |
| 專 輯 | 電子測試專輯 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 圓環狀佈局; 雙軸拉伸應變; 截止頻率; 橫向擴散金氧半場效電晶體; 機械應力; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本文利用彎曲晶圓的方法使橫向擴散金氧半場效電晶體(Laterally diffused MOS transistor, LDMOS)產生機械應變(strain),並探討其直流與高頻特性與應變之關係。當晶圓承受0.051%的雙軸拉伸應變時,多指狀(multifinger)佈局的LDMOS元件的截止頻率(cutoff frequency)峰值可以增進3.1%;然而,圓環狀佈局的元件因具有不同的通道方向,其截止頻率可以增進3.7%;我們的研究結果顯示應變技術適用於射頻應用下的LDMOS元件。另外,我們亦萃取出元件在有與沒有施加應力下的轉導(transconductance)與閘極電容(gate capacitance),藉以說明截止頻率與應變的關係。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。