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題名 | The Correlation between the Characteristicsofa-Si:Hthin-Film Transistorand Physicalproperties of a-Sin戓:Hgatelayer withn[feaf]O-Plasmatreatment=探討非晶矽薄膜電晶體的特性與經N[feaf]O電漿處理後的非晶氮化矽薄膜性質之間的關係 |
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作者 | 陳盈安; 林全益; 蔡文欽; 賴利弘; 簡廷憲; 洪志旺; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷期 | 4:2 1997.05[民86.05] |
頁次 | 頁89-96 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 薄膜電晶體; 折射係數; 機械應力; 電漿處理; Thin-film transistor; Refractive index; Tensile mechanism stress; N[feaf]O-plasma treatment; |
語文 | 英文(English) |