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題名 | Effect of Plasma Treatment of a-SiO[febb]N /a-SiN[febb]Gate Insulators on a-Si:H Thin-Film Transistor=經電漿處理的非晶氮氧化矽/氮化矽閘極絕緣層對非晶矽薄膜電晶體特性的影響 |
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作者 | 簡廷憲; 呂學德; 蔡文欽; 陳盈安; 洪志旺; 張俊彥; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷期 | 2:1 1995.02[民84.02] |
頁次 | 頁19-24 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 薄膜電晶體; 電漿處理; 電性穩定度; Thin-film transistor; Plasma treatment; Electrical stability; |
語文 | 英文(English) |