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題名 | 原子層沉積技術與應用 |
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作者姓名(中文) | 蘇俊榮; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 17:9=194 2011.09[民100.09] |
頁次 | 頁94-103 |
專輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 原子層沉積; 前驅物; 階梯覆蓋性; 深寬比; 化學吸附作用; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 因應半導體微電子元件尺寸持續地縮小與性能要求,薄膜厚度均勻性與品質之需求越來越高,由於原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)的薄膜厚度控制可達至原子等級,且薄膜沉積階梯覆蓋性(step coverage)和均勻度極佳,因此可在3D結構或特殊奈米結構上沉積均勻且均覆(conformal)之薄膜,其所需之製程溫度通常低於其它的化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)機制,能大幅減少基板所承受之熱預算(thermal budget),因而滿足許多前瞻電子元件和奈米科技等之研究發展,例如高介電係數MOS閘極介電層、儲存電容介電層和銅擴散阻擋層等;此外,ALD在其他領域的應用潛力,如太陽能、有機光電、微機電系統和生物科技等,近幾年也廣受矚目。在本文中我們將介紹ALD的沉積機制、前驅物材料、反應腔體系統與相關之應用。 |
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