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題 名 | 高密度電漿源氣流場模擬分析=Kinetics Modeling of Gases with Argon Plasma in a Reactor with Hollow-cathode Discharge |
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作 者 | 董福慶; 吳佩珊; 趙修武; 林重勳; 魏大欽; | 書刊名 | 機械工業 |
卷 期 | 338 2011.05[民100.05] |
頁 次 | 頁87-96 |
專 輯 | 光電產業設備技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 微晶矽; 薄膜沉積; 數值模擬; 電漿輔助化學氣相沉積; Microcrystalline silicon; Thin film deposition; Numerical simulation; PECVD; |
語 文 | 中文(Chinese) |