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題名 | 元件充電模式之靜電放電防護設計 |
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作者姓名(中文) | 林群祐; 柯明道; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 17:5=190 2011.05[民100.05] |
頁次 | 頁154-164 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 元件充電模式; 靜電放電; 初始導通; 奈米金氧半製程; Charged-device model; Electrostatic discharge; ESD; Initial-on; Nanoscale CMOS process; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 相較於人體放電模式(human-body-model, HBM)與機械放電模式(machine-model, MM),元件充電模式(charged-device-model, CDM)靜電放電對積體電路的衝擊更嚴重。在奈米金氧半製程中,由於電晶體閘極氧化層厚度持續降低,勢必惡化積體電路的元件充電模式靜電放電耐受度。在積體電路設計上,元件充電模式靜電放電現象已成為相當嚴重且必須解決的課題。因此,本論文提出一種具有初始導通特性之元件充電模式靜電放電防護設計。本設計已於55奈米金氧半製程中實作,其元件充電模式靜電放電耐受度亦已被驗證。 |
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