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題 名 | InGaN/GaN多層量子井的光學及材料分析=Optical and Material Properties of Different Structural InGaN/GaN Multi-quantum Well Light Emitting Diode Wafers |
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作 者 | 郭庭偉; 林澤暘; 馮哲川; | 書刊名 | 照明學刊 |
卷 期 | 27:4 2010.12[民99.12] |
頁 次 | 頁26-31 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 有機金屬化學氣相沉積法; 多層量子井; X光繞射分析儀; 光激發螢光; 穿透式電子顯微鏡; Metal organic chemical vapor deposition InGaN/GaN; InGaN/GaN; Multiple quantum well; X-ray diffraction; Transmission electron microscopy; Photoluminescence; |
語 文 | 中文(Chinese) |