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| 題 名 | 利用介電質調變之超高壓橫向式金氧半電晶體=Dielectric Material Induced Electric Field Redistribution in Ultra High Voltage LDMOSFET |
|---|---|
| 作 者 | 羅國軒; 胡智閔; 洪崇祐; 黃宗義; 龔正; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 17:4 2010.12[民99.12] |
| 頁 次 | 頁25-31 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 橫向式擴散金氧半場效電晶體; 介電質調變; 深溝層隔離; 超高壓元件; 導通電阻; LDMOSFET; Dielectric modulation; DTI; Ultra high-voltage device; On-state resistance; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |