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題 名 | NH₃ Nitridation-Induced Phase Changes and Property Improvements of ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ Dielectric: Application to Metal-Insulator-Metal Capacitor in DRAM=低溫氮化引起之ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂介電層相變化與電性改良:應用於DRAM中金屬-絕緣體-金屬電容器 |
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作 者 | 李名言; 蔡濱祥; 江佩錞; 吳孝哲; 巫勇賢; 林裕荏; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 23:1 2010.03[民99.03] |
頁 次 | 頁12-17 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | NH₃氮化; 介電質; 相變化; 電容器; ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂; NH₃ nitridation; High-k dielectric; Phase change; Capacitor; |
語 文 | 英文(English) |