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題名 | 聚3-辛基噻吩/二氧化鈦納米複合材料的合成及其光電性能的研究 |
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作者 | 張敬暢; 韓志躍; 曹為良; | 書刊名 | 工程科技與教育學刊 |
卷期 | 7:2 2010.04[民99.04] |
頁次 | 頁358-367 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 複合材料; IR XRD光電性質; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 採用原位聚合法製備了一系列比例不同的聚3-辛基噻吩/二氧化鈦納米複合材料。經X射線光電子能譜(XPS)測試表明了複合物中S的高價態的成分增加,說明Ti-S的存在;紅外光譜(IR)測試發現在640cm^(-1)附近生成了新的Ti-S鍵;X射線衍射法(XRD)測試表明複合物的晶面距小於單組分的二氧化鈦,說明Ti-S的生成,證明了新型聚3-辛基噻吩/二氧化鈦納米複合材料被合成了。經電化學迴圈伏安測試(CV)表明當POT: TiO2=1: 1時,聚3-辛基基噻吩/二氧化鈦納米複合薄膜的能隙最小僅爲0.43eV,既不同於二氧化鈦的3.14eV,也不同於聚3-辛基噻吩的2.07eV;紫外(UV)和螢光(FL)光學測試結果表明:光電性能遠遠優於單獨的聚3-辛基噻吩和二氧化鈦。 |
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