您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
系統晶片
9 2008.12[民97.12]
頁80-86
相關文獻
廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計
一個0.35微米CMOS內嵌雙埠SRAM記憶體編輯器
電子零組件製造業--靜態隨機存取記憶體SRAM
臺灣輸美靜態隨機存取記憶體反傾銷案的檢討
CMOS揮發性記憶體製程技術簡介
靜態隨機存取記憶體(SRAM)
電子工業--電子產品(靜態隨機存取記憶體)
靜態隨機存取記憶體(SRAM)
應用於靜態隨機存取記憶體之複晶矽薄膜電晶體
金氧半靜態隨機存取記憶體(MOS SRAM)的研究與基本電路設計
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計=Static Random Access Memory Design with Wide Range VDD Operation
作 者
繆俊偉
;
蔡孟庭
;
書刊名
系統晶片
卷 期
9 2008.12[民97.12]
頁 次
頁80-86
分類號
471.6511
關鍵詞
靜態隨機存取記憶體
;
SARM
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址