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| 題 名 | 金氧半靜態隨機存取記憶體(MOS SRAM)的研究與基本電路設計 |
|---|---|
| 作 者 | 蔡建泓; | 書刊名 | 龍華學報 |
| 卷 期 | 9 1992.06[民81.06] |
| 頁 次 | 頁169-201 |
| 分類號 | 448.57 |
| 關鍵詞 | 半靜態隨機存取記憶體; MOS SRAM; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本文的主要目的是介紹金氧半靜態隨機存取記憶體(MOS Static Random Access Memory),簡稱MOS SRAM,的發展概況,並且研討MOS SRAM內各組成方塊的一舨電路設計技術。同時也在文中介紹一些重要的數位積體電路設計方法。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。