查詢結果分析
相關文獻
- The Anomalous Behavior of Hydrogenated/Unhydrogenated Polysilicon Thin Film Transistors under Electric Stress
- Oxide Charging Effects Induced by Plasma Hydrogenation on Poly-si Thin Film Transistors
- Electrostatic Charging Damage on the Characteristics and Reliability of Poly-Si TFT during Plasma Hydrogenation
- 複晶矽薄膜電晶體製程關鍵技術簡介
- 平面顯示技術的明日之星--低溫複晶矽薄膜電晶體液晶顯示器
- TFT-LCD顯像驅動技術新趨勢
- 足堪與日韓並駕齊驅的明日之星--跨世紀的TFT-LCD產業投資
- 臺灣TFT-LCD產業發展現況
- 「非」一般產業.「常」不按「業」理.是「非常業」--大尺寸TFT-LCD產業景氣循環之探討
- 薄膜電晶體液晶顯示器產業概述
頁籤選單縮合
題 名 | The Anomalous Behavior of Hydrogenated/Unhydrogenated Polysilicon Thin Film Transistors under Electric Stress=電漿氫化與無電漿氫化的薄膜電晶體在電應力下呈現之異常特性 |
---|---|
作 者 | 陳啟文; 周靜娟; 吳明瑞; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 26 民90.06 |
頁 次 | 頁281-286 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 薄膜電晶體; 電漿氫化; 副起始特性; 零態電流; Hydrogenation; Subthreshold swing; Thin film transistor; |
語 文 | 英文(English) |