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題名 | Oxide Charging Effects Induced by Plasma Hydrogenation on Poly-si Thin Film Transistors=電漿氫化過程中所引起的氧化層電荷對薄膜電晶體的影響 |
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作者 | 陳啟文; | 書刊名 | 明新學報 |
卷期 | 19 民86.11 |
頁次 | 頁187-194 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 薄膜電晶體; 電漿氫化; 電荷損害; 天線效應; TFT; Plasma hydrogenation; Plasma charging damage; Antenna effect; |
語文 | 英文(English) |