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題名 | Electrostatic Charging Damage on the Characteristics and Reliability of Poly-Si TFT during Plasma Hydrogenation=電漿氫化時靜電充電危害對薄膜電晶體特性與可靠度之影響 |
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作者 | 陳啟文; 吳明瑞; | 書刊名 | 明新學報 |
卷期 | 23 民88.12 |
頁次 | 頁127-131 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 電漿氫化; 薄膜電晶體; 靜電充電危害; 複晶矽; 缺陷狀態; Plasma hydrogenation; TFT; Electrostatic charging damage; Polysilicon; Trap state; |
語文 | 英文(English) |