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題 名 | 高壓功率電晶體結構之最佳化設計=Optimum Design on High-Voltage Power MOSFETs |
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作 者 | 吳明瑞; 陳啟文; 李佑仁; 簡鳳佐; 涂高維; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 28 民91.06 |
頁 次 | 頁7-16 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 高壓功率電晶體; 場環; 崩潰電壓; High-voltage power MOS device; Guard ring; Breakdown voltage; |
語 文 | 中文(Chinese) |