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題 名 | 採用0.35微米矽鍺雙極互補金氧半導體製作之TD-SCDMA接收機射頻前端積體電路=A 0.35um SiGe BiCMOS RF Front-End IC for TD-SCDMA Receiver |
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作 者 | 傅子恆; 陳新福; 許峻銘; | 書刊名 | 電腦與通訊 |
卷 期 | 102 2002.12[民91.12] |
頁 次 | 頁90-94 |
專 輯 | 無線通訊與數位視訊技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 矽鍺製程; 射頻前端電路; 低雜訊放大器; 混頻器; 分時同步分碼多重擷取系統; SiGe; RF front-end; Low noise amplifier; Mixer; Time division-synchronize code division multiple access; TD-SCDMA; |
語 文 | 中文(Chinese) |