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題名 | 採用0.35微米矽鍺雙極互補金氧半導體製作之TD-SCDMA接收機射頻前端積體電路=A 0.35um SiGe BiCMOS RF Front-End IC for TD-SCDMA Receiver |
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作者 | 傅子恆; 陳新福; 許峻銘; Fu, Tz-heng; Chen, Shin-fu; Hsu, June-ming; |
期刊 | 電腦與通訊 |
出版日期 | 20021200 |
卷期 | 102 2002.12[民91.12] |
頁次 | 頁90-94 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 矽鍺製程; 射頻前端電路; 低雜訊放大器; 混頻器; 分時同步分碼多重擷取系統; SiGe; RF front-end; Low noise amplifier; Mixer; Time division-synchronize code division multiple access; TD-SCDMA; |