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題 名 | 金屬誘發結晶法製作多晶矽薄膜之研究=Fabrication of Poly-Si by Using Metal Induce Crystallization Method |
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作 者 | 林士傑; 林宣樂; 李清庭; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 16:3 2004.01[民93.01] |
頁 次 | 頁13-18 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 多晶矽薄膜; 二氧化矽; 成長非晶矽薄膜; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本實驗以雷射輔助電漿激發式化學氣相沉積系統(Laser-Assisted PECVD:LAPECVD)在二氧化矽(SiO2)/矽(Si)基版上成長非晶矽薄膜,再利用鎳(Ni)金屬誘發的方式使沉積的非晶矽(a-Si)薄膜經低溫退火產生結晶。探討矽結晶的型態與可能的形成機制。並證明LAPECVD可有效的改善沉積薄膜的特性,使薄膜結晶所需的熱處理時間可以明顯的縮短,且在室溫下成長非晶矽薄膜可大幅降低製程的熱預算(thermal budget)。 |
英文摘要 | This study presents the deposition of amorphous silicon(a-Si) thin film on SiO2/Si substrate by CO2 laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system(LAPECVD). The a-Si thin films crystallize using nickel-induced crystallization method with low annealing temperature. This study proves that the CO2 laser assistance effectively improves the quality of thin-film deposition, shortens the annealing time of crystallization, and reduces the thermal budget of fabrication. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。