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題 名 | 電漿蝕刻在VLSI製程之應用 |
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編 次 | 2 |
作 者 | 邱國峰; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 15:3 2002.09[民91.09] |
頁 次 | 頁44-50 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 電漿蝕刻; VLSI; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 雖然氮、氧化物介電材之蝕刻在IC製程中有許多的應用,也最受到重視。元件之性能優劣,卻多取決於矽材料之蝕刻。本文接續上其期電漿蝕刻在VLSI製程上之介紹,進一步針對矽的溝槽蝕刻(Si Trench etching),多晶矽回向蝕刻(Poly-Si Recess Etching),及化學後段蝕刻(Chemical downstream etching)加以介紹。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。