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題 名 | 0.13μm 300mm時代LSI銅配線用含浸電鍍 |
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作 者 | 劉秀琴; | 書刊名 | 工業材料 |
卷 期 | 170 2001.02[民90.02] |
頁 次 | 頁143-145 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 大型積體電路; 鍍銅; 含浸電鍍; LSI; Cu plating; Impregation plating; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 0.13um Rule、300mm晶圓時代即將來臨,可望破除銅配線形成障礙的新技術已經被開發出來。舊的鍍銅技術,因膜厚不均的程度超過容許值,由荏原製作所與東芝共同開發適用於LSI的含浸(Impregation)電鍍技術,可得到厚度均勻度在容許範圍內的銅膜,新設備將在2001年4月產品化。 |
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