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來源資料
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
7:2 2000.05[民89.05]
頁10-15
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題 名
深紫外線光阻曝光後烘烤製程模擬之物理及演算法=Simulation of the Post-exposure Bake Process of Deep Ultraviolet Resists: Physics and Algorithm
作 者
李宗隆
;
書刊名
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
卷 期
7:2 2000.05[民89.05]
頁 次
頁10-15
分類號
448.552
關鍵詞
深紫外線
;
光阻
;
曝光
;
烘烤製程
;
語 文
中文(Chinese)
中文摘要
本文是有關深紫外線光阻之曝光後烘考製程之模擬,將討論其模擬之物理,及其所使用之演算法。
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。
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