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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:4 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁269-273
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
65 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁5-7
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁16-21
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁42-47
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:7 1999.07[民88.07]
- 頁 次:
頁740-743
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁239-246
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
73 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁29-35
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
172 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁120-125
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題 名:
氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究:On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁136-142
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題 名:
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題 名:
氮化鎵雷射共振腔方向與其光增益之研究:Dependence of the Orientation of GaN-based Laser Cavity on the Optical Gain
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁130-143
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁144-151
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題 名:
光化學濕式蝕刻法應用於氮化鎵晶片表面之研究:Study the Surface of Gallium Nitride by Photoenchance Wet Etching
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁1-7
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
74 2001.06[民90.06]
- 頁 次:
頁48-52
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:1 2002.01[民91.01]
- 頁 次:
頁116-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
65 1997.04[民86.04]
- 頁 次:
頁22-23
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25 1997.10[民86.10]
- 頁 次:
頁65-71