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題 名:
微機電系統的感應耦合電漿設備與製程技術:Inductively Coupled Plasma Equipment and Technology in MEMS
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁17-24
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁25-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁36-38
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- 題 名:
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編 次:
2
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁44-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁51-53
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:4 2002.11[民91.11]
- 頁 次:
頁17-24
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- 題 名:
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編 次:
1
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:2 2002.07[民91.07]
- 頁 次:
頁27-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:4 1991.11[民80.11]
- 頁 次:
頁15-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:2=92 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁54-64
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題 名:
ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析:The Effect of ONO Spacer and CESL on the Channel Stress of MOSFET Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:3 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁22-27
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:1 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁63-69
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題 名:
奈米多孔隙氮化鎵結構應用於高效率氮化銦鎵發光元件:High Efficiency InGaN Optoelectronic Devices with Nanoporous GaN Structures
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:1 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁33-40
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題 名:
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題 名:
GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth:利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁17-26
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題 名:
幾何形狀對矽感應耦合電漿蝕刻的影響:Shape Effect on the Inductively Coupled Plasma Etching of Silicon
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁19-24
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 民94.12
- 頁 次:
頁30-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁32-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:3 2010.09[民99.09]
- 頁 次:
頁13-21
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:4=150 2018.12[民107.12]
- 頁 次:
頁14-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:1 2020.03[民109.03]
- 頁 次:
頁13-23