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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
20:2 1998.04[民87.04]
- 頁 次:
頁245-256
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:4 2003.08[民92.08]
- 頁 次:
頁582-591
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁471-479
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 2005.08[民94.08]
- 頁 次:
頁34-43
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題 名:
射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料:GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁72-76
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題 名:
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題 名:
氮化物半導體發光二極體近況:The Recent Status of Nitride Semiconductor Light Emitting Diodes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁50-57
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1=342 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁88-91
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題 名:
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長:Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy for GaN Growth
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:5=175 2010.04[民99.04]
- 頁 次:
頁65-72
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
110 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁33-41
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:12=149 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁170-182
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:12=149 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁183-203
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題 名:
高效率Ⅲ-V族化合物太陽能電池之發展近況:Development of High Efficiency Ⅲ-V Compound Semiconductors Solar Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:2 2009.06[民98.06]
- 頁 次:
頁29-33
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:11=172 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁76-90
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
92 2007.06[民96.06]
- 頁 次:
頁40-44
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題 名:
原子層沉積應用在三族氮化物之生長:The Application of Atomic Layer Deposition for the Growth of Ⅲ-Nitrides
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1=159 2007.08[民96.08]
- 頁 次:
頁26-32
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題 名:
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題 名:
白光LED氮化物螢光粉之發展現況:Development of Nitrides and Oxynitrides for White Light LED Phosphor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
240 民95.12
- 頁 次:
頁115-125
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題 名:
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題 名:
利用HVPE技術成長Free-standing GaN基板(HVPE技術在製作Free-standing GaN基板中的應用):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3=152 2008.03[民97.03]
- 頁 次:
頁168-181
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3=140 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁160-172
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2007.05[民96.05]
- 頁 次:
頁6-10
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:6 2008.12[民97.12]
- 頁 次:
頁602-612