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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
69 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁30-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72 2000.05[民89.05]
- 頁 次:
頁52-55
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題 名:
射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料:GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁72-76
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題 名:
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題 名:
High Al Content in Al□Ga□N on GaN Buffer/Sapphire Grown by RFMBE:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁86-90
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題 名:
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題 名:
High Quality GaN Films Grown on Sapphire by RF-MBE without Low Temperature Buffer Layers:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁91-95
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
96 民95.08
- 頁 次:
頁159-162