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題 名:
氫化物氣相磊晶成長法成長氮化鎵晶體:The Growth Mechanism of GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁31-38
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題 名:
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題 名:
Horizontal Bridgman Grown Si-doped GaAs Crystals with Rectangular Cross Sections:水平布氏方形砷化鎵單晶成長
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:1 1990.03[民79.03]
- 頁 次:
頁93-98
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:2 1991.10[民80.10]
- 頁 次:
頁43-48
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:12=48 1990.12[民79.12]
- 頁 次:
頁56-60
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題 名:
高品質氮化鎵厚膜之應用與製作方法:Application and the Manufacture Method of GaN Thick Film
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁107-115
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 民95.04
- 頁 次:
頁1-6
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2007.05[民96.05]
- 頁 次:
頁6-10
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題 名:
高品質氮化鎵基板之製作方法:The Manufacture Method of High Quality GaN Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
102 2008.08[民97.08]
- 頁 次:
頁36-50
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題 名: