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題名 | 低介電常數聚亞醯胺膜之化學機械研磨特性研究 |
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作 者 | 蔡明蒔; 戴寶通; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 6:4 1999.11[民88.11] |
頁次 | 頁6-11 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 低介電常數; 聚亞醯胺膜; 化學機械研磨; Polyimide; Chemical-mechanical polishing; CMP; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究著重於對聚亞醯膜(polyimide)之化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing, CMP) 製程之可行性評估。polyimide 之磨除率取決於其聚合程度和研漿中之氫 氧基活性,亦即聚合程度愈低及研漿鹼性愈高則磨除率愈快。由旋塗後之烘烤溫度及時間可 以控制其聚合程度,並可藉由紅外線振動光譜量測之。添加四甲基氫氧化銨 (Tetra-methyl- ammonium hydroxide,TMAH) 強鹼於研漿中,不但促進部份聚合 polyimide 膜之水解速率,亦可改善其表面之親水性 (hydrophilicity) 以利其與研漿水溶 液反應而溶除。高分子聚合物質軟易於研磨時產生表面損傷,如表面粗化及刮痕等,和其吸 水及鹼金屬離子污染等問題都會引響其研磨後介電特性之劣化,如介電常數及漏電流增加、 崩潰電壓下降等。 本研究發展以二階段式研磨製程, 可獲得快速之磨除率 (>2,000A/min) 且降低其磨後表面損傷,並證實在研磨後其介電特性不致劣化。 |
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