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題名 | 結合離子植入以及快速高溫回火技術的超淺接合面模組= |
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作者 | 孫學立; |
期刊 | 新電子科技 |
出版日期 | 19990900 |
卷期 | 162 1999.09[民88.09] |
頁次 | 頁182-188 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 離子植入; 快速高溫回火技術; 超淺接合面模組; |
中文摘要 | 為了因應0.18微米以下製程技術的需求,製造source/drain extensions的時候,超淺接合面的厚度必須小於0.1微米。本實驗採用應用材料公司xR LEAP離子植入機,以0.5-1 keV的能量和1x10-1x10cm的摻質劑量將硼、砷離子植入pre-amorphised的結晶矽之中,然後再將晶圓置於RTP Centura反應室進行退火處理,溫度介於900-1100℃,時間1-20 秒,加熱速率介於75℃/s到150℃/s之間,並比較不同操作條件對結果所造成的影響。 利用Ge pre-amorphisation加上在氮的環境下進行瞬間(spike)回火處理(加熱速率150℃/s)的製程,便能夠穩定的形成深度介於25-70nm(SIMS B(硼)濃度為1x10cm)之間的超淺接合面,而且薄層阻值(Rs)可在300-900Ω/□的範圍內進行調整。 實驗結果發現,瞬間回火溫度對薄層阻值(Rs)的影響最大;相對的,加熱速率則不論對降低Rs或是控制接合面深度(xj)來講,效果都十分有限。RTA製程的含氧量是控制Rs以及xj的重要參數。Pre-amorphised的晶圓經過瞬間退火處理之後,利用高解析度的穿透式電子顯微鏡(HRTEM)觀察其再結晶的情形。最後,本文亦就0.15微米PMOS電晶體製程的相關數據加以討論。 |
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