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來源資料
電子月刊
3:10=27 1997.10[民86.10]
頁118-121
金屬工藝
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金屬工藝
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題 名
DRAM淺接面與深接面之技術
作 者
皖之
;
書刊名
電子月刊
卷 期
3:10=27 1997.10[民86.10]
頁 次
頁118-121
分類號
472
關鍵詞
離子植入術
;
DRAM
;
語 文
中文(Chinese)
中文摘要
離子植入技術可分為短熱處理時間(TAT)的高能離子植入和縮短閘極長 度的低能量離子植入。高能離子植入主要用於井區(well)的形成,一直被用於量 產製程中。低能離子植入可用於源極,汲極的形成,隨著細微化,該設備的負擔 會逐漸加重。要實現0.2μm以下的閘極長度,低能量離子植入設備的實現和增速 擴散(TED)的抑制是為重要的關鍵。
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