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題 名 | 快閃記憶體製程技術=Flash Memory Process Technology |
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作 者 | 王念民; | 書刊名 | 電子技術 |
卷 期 | 143 1998.02[民87.02] |
頁 次 | 頁119-124 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 快閃記憶體; 浮動閘; 撞擊離子化; 價帶至價帶穿透; 接點; Flash memory; Floating gate; Impact ionization; Band-to-band tunneling; Contact hole; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 快閃記憶體有低耗電、可讀寫的優勢,將成為非揮發性記憶體產品主流,並且廣 泛應用於各種儲存媒體上。由積體電路發展趨勢來看,朝 3C 整合的家電產品將是快閃記憶 體應用的最大需求市場。本文將以記憶體單元、陣列架構、市場分析等部分,說明快閃記憶 體技術發展趨勢。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。