查詢結果分析
相關文獻
- A Thermoelastic Analysis in a Semi-infinite Cylindrical Single Crystal During Laser-heated Pedestal Growth
- Relaxation of Thermal Stress at Metal-Cer Amic Interfaces by A Dislocation Mechanism
- 利用水熱法生長低差排密度壓電級單晶石英之研究
- 鋁單晶之差排
- 未來積體電路的趨勢--單晶片系統
- 在單晶片系統環境下之智慧財產模組開發
- 簡介單晶片系統設計驗證
- 整合多媒體系統的單晶片設計概念
- 光哲變單晶中體積全像繞射之布拉格簡併的研究
- Computer Simulation of Electro-Thermomechanical Interactions of an Oxygen Sensor during Warm-Up
頁籤選單縮合
題 名 | A Thermoelastic Analysis in a Semi-infinite Cylindrical Single Crystal During Laser-heated Pedestal Growth=利用熱彈性分析研究雷射加熱成長法生成單晶纖維時熱應力及差排的形成 |
---|---|
作 者 | 王力行; 蔡伯洲; 洪敏雄; | 書刊名 | 中國工程學刊 |
卷 期 | 21:1 1998.01[民87.01] |
頁 次 | 頁101-108 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 熱應力; 差排; 百爾數目; 單晶; Thermal stress; Dislocation; Biot number; Single crystal; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 利用熱彈性分析研究半無限柱狀單晶成長時,介面形狀及百爾數目不同時的熱應力及差排被解析及被數值計算出;百爾數目大及單晶成長界面凹向融熔區時,會生成最大熱應力及最多的差排。當遠離成長界面,凹向融熔區及凸向融熔區,在軸向及徑向的熱應力及差排相近。但在成長界面附近,凹向融熔區成長尖端比凸向融熔區成長尖端的熱應力或差排大4.8倍,從光學顯微鏡計算尖晶石單晶及雷射加熱成長法坐成之纖維所得熱應力或差排興數值計算者相符。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。