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題 名 | Compact Device Modeling of Deep-submicron Silicon-on-insulator (SOI) Cmos Technology=深次微米絕緣物上矽互補式金氧半技術之精簡元件模型 |
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作 者 | 郭正邦; | 書刊名 | 國立臺灣大學工程學刊 |
卷 期 | 71 1997.10[民86.10] |
頁 次 | 頁43-60 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 深次微米; 絕緣物上矽; 互補式金氧半; 元件模型; Deep-submicron; Silicon-on-insulator; CMOS; Device modeling; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 深次微米之未來主力技術之一之絕緣物上矽互補式金氧半技術之精簡模型對於其超大型電路設計之電腦輔助設計是不可或缺。本文提出適用於使用絕緣物上矽互補式金氧半元件之超大型積電電腦輔助設計目的之產生精簡元件模型之元件模式發展之演化過程。 |
英文摘要 | This paper reports the evolution of the device modeling of deep-submicron SOI COMS technology for producing compact device models for the purpose of CAD of VLSI circuits using SOI CMOS devices. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。