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題 名 | The Fabrication of a Small Guard-Ring Avalanche Photodiodes with a Uniform Gain Profile=小護環雪崩型光偵測器製作與研究 |
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作 者 | 紀國鐘; 洪秀瑩; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 4:3 1997.08[民86.08] |
頁 次 | 頁209-212 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 雪崩型光偵測器; 護環; 離子佈植; 雪崩倍增剖面圖; Avalanche photodiodes; Guard-rings; Ion implantation; Avalanche gain profile; |
語 文 | 英文(English) |
英文摘要 | 我們已製作出小護環的雪崩型光偵測器,其主要的p-n接面直徑為50μm,護環的 寬度為為 5 μ m 主的 p-n 接面是利用閉管擴散法以 CdP2 當擴散源, 再利用離子佈植 法,打入鈹離子 (Be) 形成護環。為了達到製作 5 μ m 的護環,我們利用三階段上光阻液 (Tri-level Phtotresist )並利用活性離子蝕刻方式來完成小護環的製作。 藉由此種方法 所製作的雪崩型光偵測器,我們可以量測到較平坦化的雪崩倍增剖面圖,並且有效降低元件 的電容值,獲得較高的量子效率。 g process. The capacitance of this APD is less than 0.7 pf and mcuh uniform gain profile is observed. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。