查詢結果分析
相關文獻
- Design and Implementation of a 2.4 GHz One-Stage Amplifier Using Multi-Emitter Heterojunction Bipolar Transistors
- 2.4 GHz Circular-Polarization LNA Receiving-Type and PA Transmitting-Type Active Patch Antennas for ISM Band Wireless Communications
- 射頻功率放大器的線性化
- 射頻功率放大器之交互調變失真
- 多層低溫共燒陶瓷技術應用於設計功率放大器模組
- 射頻功率放大器線性化技術簡介
- 射頻功率參數量測系統之介紹
- Study on Load Characteristics for RF Power Amplifiers
- 具相位及振幅調控功能之三頻道超音波高溫腫瘤治療驅動系統之研發
- 0.1MHz∼1.3GHz寬頻帶射頻功率放大器之設計
頁籤選單縮合
題 名 | Design and Implementation of a 2.4 GHz One-Stage Amplifier Using Multi-Emitter Heterojunction Bipolar Transistors=2.4 GHz單級放大器之設計與製作:以多射極異質接面雙極性電晶體為主動元件 |
---|---|
作 者 | 黃漢屏; 甄明; 綦振瀛; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 4:3 1997.08[民86.08] |
頁 次 | 頁193-198 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 單石化微波積體電路; 功率放大器; 異質接面雙極性電晶體; AlGaAs/GaAs HBT; Monolithic; MMIC; Power amplifier; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 利用多射極砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體,我們已經設計並製作完成 2.4 GHz 單級單石化微波放大器。我們選擇一具有四隻 2 × 20 μ m �揹g極之元件來設計 此一放大器,其 FT 和 Fmax 分別達 28 GHz 和 17 GHz。此大放大器在 2.4 GHz 的小訊號 增益為 7.1dB。在 1.6 至 2.8 GHz 之間,輸入及輸出之 VSWR 均小於 2,顯示此電路亦具 有良好的阻抗匹配。為了更深入了解實驗值與模擬值的差異所在,我們也對電路中個別的元 件進行量測與分析,以得知其對電路特性的影響。 |
英文摘要 | A 2.4 GHz one-stage AlGaAs/GaAs HBT monolithic amplifier had been designed and fabricated. An HBT with four 2 × 20 fingers, exhibiting the FT and Fmax of 28 GHz and 17 GHz, respectively, was employed for this amplifier, At 2.4 GHz, this amplifier exhibits a gain of 7.1 dB. The VSWRs between 1.6 and 2.8 GHz for both input and output are less than 2, indicating that very good matching was obtained. Detailed characterization on this amplifier was carried out to investigate the discrepancy between the measured and the simulated results. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。