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題名 | ADM150之VTTSI晶片設計=Chip Design of VTTSI for ADM150 |
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作者姓名(中文) | 莊永圳; | 書刊名 | 電信研究 |
卷期 | 27:1 1997.02[民86.02] |
頁次 | 頁43-52 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 同步光纖網路; 塞取多工機; 虛擬支路; 時槽交換; 時間多工交換; Synchronous optical network; SONET; Add drop multiplex; ADM; Virtual tributary; VT; Time slot interchange; TSI; Time multiplexed switch; TMS; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | VTTSI是以0.8μm Standard Cell CMOS技術所設計之晶片,其主要功能是以時槽 交換配合時間多工交換之方法, 將二路 19.44 Mb/s STS-3 byte 輸入信號內之所有 VT 信 號作交換, 再組合成三路 51.84 Mb/s STS-1 之串列信號輸出。 為使其應用更具彈性, VTTSI 晶片是以可程式化之設計方式, 使其可在 VT1.5、 VT2 及 VT Group 等不同種類之 VT 信號作交換, 其交換能力為:VT1.5 之 168 至 84 路任意交換,VT2 為 126 至 63 路 , 及 VT Group 之 42 至 21 路。 除 VT 路由交換功能外,亦可針對 STS-3 byte 輸入作 STS-1 POH 之處理。 |
英文摘要 | The VTTSI(Virtual Tributary Time Slot Interchange) chip is designed with 0.8mm Standard Cell CMOS technology, which performs the VT level switching function in the two 19.44 Mb/s STS-3 byte input signals by the TSI(Time Slot Interchange)and TMS(Time Multiplexed Switch) methods. The outputs are three STS-1 signals in 51.84 Mb/s bit stream. To increase the range of its application, the chip can be programmed to perform the switching function in different VT levels such as VT1.5, VT2, or VT Group level. The capability of VT switching is 168 to 84 in VT1.5, 126 to 63 in VT2, or 42 to 21 in VT Group level. In addition to the VT switching, the three STS-1 POHs can be accessed in the STS-3 input. |
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