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題名 | Hot Electron Resonant Tunneling in δ-Doped GaAs/InGaAs Field-Effect Transistors=熱電子共振穿透應用在δ-摻雜砷化鎵/砷化銦鎵場效電晶體 |
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作者 | 吳昌崙; 許渭州; Wu, C. L.; Hsu, W. C.; |
期刊 | 吳鳳學報 |
出版日期 | 19960500 |
卷期 | 4 1996.05[民85.05] |
頁次 | 頁1-10 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 熱電子共振穿透; δ-摻雜砷化鎵/砷化銦鎵場效; 電晶體; |
中文摘要 | 負微分電阻電晶體可以應用在振盪器電路上,對於類比╱數位轉換有很大的利用價值,但是目前元件的製作大部份均以共振二極體為主,其電流峰谷值比一直無法突破。本文以砷化鎵╱砷化銦鎵場效電晶體結構,加上δ-摻雜層量子井,形成並行的雙通道電晶體,當閘極偏壓由負值轉為正值時,只要正偏壓足夠就可以使電子加熱產生實空間傳導現象,如此電子在不同通道其平均移動率減少,促使電流值降低,造成負微分電阻。當然,如果將障礙層的厚度改變,其穿透機率可以提升,所以峰谷值比可以再增加。 本文所提出之結構,其優點是:磊晶容易,製程簡單,高電流驅動能力,以及同時具有放大與振盪功能,如此為化合物半導體在積體電路的理想開創一新契機。 |
英文摘要 | We report the observation of pronounced N-shaped negative differential resistance (NDR) and negative transconductance at high drain and gate fields in δ-modulation-doped GaAs/InGaAs field effect transistors by tunneling real-space transfer(TRST). By virtue of varying the sheet density of δ-doping layer as well as the thickness of GaAs barrier, pronounced NDR characteristics were observed accompanying by the gate current characteristic at room temperature. A peak-to-valley current ratio (PVR) of 15 was obtained at room temperature. |
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