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題 名 | Growth and Investigation of Quaternary Ⅲ-Ⅲ-Ⅲ-Ⅴ InGaAlAs Alloy Layers on InP by Molecular Beam Epitaxy=分子束磊晶成長四元Ⅲ-Ⅲ-Ⅲ-Ⅴ族砷化鋁鎵銦合金層的長晶與研究 |
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作 者 | Feng,Z. C.; Chua,S. J.; Raman,A.; Williams,K. J.; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 2:1 1995.02[民84.02] |
頁 次 | 頁69-73 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 砷化鋁鎵銦; 分子束磊晶; 傅立葉轉換紅外線頻譜分析; 光激光; InGaAlAs/InP; MBE; Raman scattering; Photoluminescence; FTIR spectroscopy; |
語 文 | 英文(English) |