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題名 | 高性能低功率101分貝直流增益次微米互補金氧半運算放大器之設計與研製 |
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作者姓名(中文) | 李世明; 余再鈞; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷期 | 4 1995.06[民84.06] |
頁次 | 頁207-214 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 串接式; 弱反轉區; 零電阻; Cascode; Weak inversion; Nulling resistor; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文提出一個利用電晶體在弱反轉區工作以及提高直流增益的串接式電路來設計 出低功率高性能互補金氧半運算放大器。 整個電路晶片約佔有 30mil �握坏D動區域面積, 並祇消耗 376 μ W。 晶片的設計與製造是依據晶片設計實現中心所提供的 0.8 μ m CMOS DPDM 之設計法則與技術。 此放大器是工作於± 2.5V 的電源,在輸出± 2V 的範圍, 典型值具有 101dB 的增益,60 度的相位邊界( phase margin )。 頻率響應則取決於負載變動, 具 1.9MHz ∼ 38.9MHz 頻寬。 在負載電容 1pF 時,到穩定狀態 0.1 %的範圍內有優於 1.34 μ s 的安定時間( settling time ), 18.9nV/ √ Hz 的輸入雜訊( broad noise at the input )以及 77dB 以上的電源拒斥比( PSRR )。 |
英文摘要 | A low-power high performance CMOS operational amplifier based on the weak inversion region operation of MOS transistor and the high dc-gain cascode circuit is proposed. The circuit on the chip occupying 30 mil �� of active area and consuming 376 μ W was designed and fabricated according to the design rules and technology of 0.8 μ m CMOS DPDM process provided by CIC. Operating from ± 2.5V power supplies, the amplifier typically have 101dB of dc gain over a ± 2V output range, 60 degrees phase margin, 1.9-38.9 MHz of bandwidth depending on loading variation, better than 1.34 μ S settling tim to 0.1 percent, 18.9 nV/ √ Hz of broad noise at the input, and higher than 77dB of power supply rejection ratio (PSRR). |
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