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題名 | 單晶碳化矽/單晶矽異質接面電晶體[Heterjunction Bipolar Transistor]之研製= |
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作者 | 黃俊達; 方炎坤; |
期刊 | 中州學報 |
出版日期 | 19951000 |
卷期 | 8 1995.10[民84.10] |
頁次 | 頁267-272 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 單晶碳化矽; 單晶矽; 異質接面電晶體; Heterjunction bipolar transistor; |
中文摘要 | 本文是在矽晶片上成長單晶碳化矽薄膜而製成單晶碳化矽/單晶矽的異質接面電晶體 (heterojunction bipolar transistor)。單晶碳化矽薄膜的成長是利用快速化學氣相沉積系統 (rapid thermal chemical vapor deposition, RTCVD) 來完成。薄膜特性的分析是利用x-ray和霍爾量測 (Hall measurement);其載子濃度為1017cm-3和n型的。本文中更利用此單晶碳化矽薄膜而製成良好的單晶碳化矽/單晶矽異質接面電晶體,此電晶體的電流增益可達120。 |
英文摘要 | The single-crystal silicon carbide/silicon heterojunction bipolar transistor (HBT) has been fabricated successfully. The single crystal silicon carbide film is grown by rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD). Carrier concentration of silicon carbide film is 1017cm-3 and n-type by X-ray and Hall measurement, respectively. Additionally, the current of SiC/Si HBT call achieve 120. |
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