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題 名 | 次半微米填隙之電子迴旋共振氧化物金屬間介電層的可靠度分析 |
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作 者 | 鄭晃忠; 汪柏村; 王錦焜; 柳璐明; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 8:1/2 民84.08 |
頁 次 | 頁14-19 |
分類號 | 337.8 |
關鍵詞 | 電子迴旋共振; 氧化物; 金屬; 介電層; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 以電子迴旋共振(ECR)產生電漿而沈積的氧化物做為金屬間介電層(IMD)的應用,在次半微米的應用技術上已完成特性分析。對於小於0.4微米和縱寬比大於2.0的金屬間間隙,用ECR化學氣相沈積(CVD)的製程可以得到沒有空洞的填隙結果。然而ECR化學氣相沈積的製程用在次半微米技術的主要關鍵點是它對元件的電漿損傷。本文使用熱載子的測試技巧來評估ECR化學氣相沈積製程對金氧半場效電晶體所造成的傷害。 我們發現不同的製程參數對元件會有不同的影響。當輸入的微波功率降到1400瓦時,元件的可靠度跟傳統的IMD製程(SOC的夾層結構)是可相比擬的。而且ECR化學氣相沈積的製程若使用低一點的蝕刻對沈積比(E/D ratio)可以減輕元件的鈍化。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。