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題名 | 以電漿輔助化學氣相沉積法探討氮氧化矽薄膜之特性 |
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作者姓名(中文) | 周榮泉; 鄭香平; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷期 | 3 1994.06[民83.06] |
頁次 | 頁141-148 |
分類號 | 468.2 |
關鍵詞 | 氮氧化矽; 電漿輔助化學氣相沉積法; 折射率; 蝕刻速率; 射頻功率; 基板溫度; 反應腔壓力; Silicon oxynitride; Plasma-enhanced chemical vapor deposition; Refractive index; Etch rate; Radio frequency power; Substrate temperature; Reaction chamber pressure; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文之目的係以電漿輔助化學氣相沈積法備製氮氧化矽(SIOxNy)薄 膜並研究其特性。我們設定備製條件之參數值:(i)射頻功率20瓦特,(ii)基板溫 度350℃,(iii)反應腔壓力為0.6 torr - 1.5 torr,(iv)反應氣體流量比(Rx,定義為N2 O/(N2O + NH3))為40/60-55/60。由橢圓測試儀(ellipsometer)量測其薄膜的折射率 及厚度,於本文中我們將可得到備製條件與薄膜折射率、厚度及蝕刻速率之關 係。由實驗數據顯示,於不同反應氣體流量比時其薄膜折射率將隨反應腔壓力 之變化而呈現三種不同的趨勢。當Rx = 500/60(N2O = 50 sccm,NH3= 10 ccm ) 時, 薄膜之折射率隨反應腔壓力之增加而幾乎不變;當Rx = 55/60 (N2O = 55 sccm, NH3=5 sccm)時,薄膜之折射率隨反應腔壓力之增加而下降;當Rx= 40/60 及 45/60 時,薄膜之折射率隨反應腔壓力之增加而上升。對於沈積速率而言,當反應腔 壓力增加時,沈積速率亦隨之增加。當薄膜的折射率愈高時,其蝕刻速率愈慢。 |
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