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題 名 | 埋層異質砷化銦鎵扭曲層單量子井雷射二極體之研究 |
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作 者 | 江文溪; 涂元光; | 書刊名 | 電信研究 |
卷 期 | 22:1 1992.03[民81.03] |
頁 次 | 頁149-153 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 扭曲層; 埋層異質; 砷化銦鎵; 單量子井; 雷射二極體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 扭曲層量子井結構之雷射二極體比傳統的雙異質結果之電射二極體容易產生居量反轉。它具有很低的起振電流,較大的輸出功率,很高的外在量子效率,及穩定單一橫向模態操作等特性。本文將針對埋層異質砷化銦鎵扭典層單量子井雷射二極體之製作技術加以探討與分析。由本計劃所研制之980μm雷射二極體經測試結果顯示極佳之特性,最低之起振電流可達3.0mA,最大外在量子效率大於80%以上,雷射光波長可控制在980±2nm以內。 |
英文摘要 | The buried heterostructure strained-layer InGaAs/GaAs single quantum well laser have been successfully fabricated. A novel fabrication technique has been developed for the laser. No dielectric masks and In-diffusion are required in this technique. This fabrication process is much easier than the conventional approach and yields excellent laser results. Low threshold of 3.0 mA and high power operations for lasing wavelength of 980±2 nm have been achieved with graded index separate confinement heterostructure devices. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。