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題 名 | Transition-energy Variations in Semiconducting Ternary GaxIn₁-xAs Alloys=半導體三元合金砷化銦鎵系列之躍遷能量變化 |
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作 者 | 朱惠美; 曾慶寧; | 書刊名 | 中原學報 |
卷 期 | 19 1990.12[民79.12] |
頁 次 | 頁9-17 |
分類號 | 337.472 |
關鍵詞 | 三元合金; 半導體; 砷化銦鎵系列; 躍遷能量變化; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 對於計算半導體三元合金系列的躍遷能量所採用之介(電)質模型方法[1]與吳立等人所提出的經驗關係公式[4]均加以考慮、運用。關於介(電)質模型方法的運用細節以及在砷化銦鎵合金系列中躍遷能量依附於組成成分的計算過程簡單說明討論之。由介(電)質模型方法及由經驗關係公式各別所得的結果互相比較,同時我們也利用該兩種方法以得到拋物參數C的值分別為0.545eV及0.318eV '而其中前者之值(0.545eV)與實驗值(0.52 eV)非常吻合,但後者之值(0.318 eV)卻相差甚遠。 |
英文摘要 | The dielectric model methods (DMM)[1] and the empirical relation formula (ERF) of Woolley et al.[4] for calculating transition energy in semiconducting ternary alloys are considered. The some detaiIs of the DMM[I] are briefly discussed with reference to the transition energy dependence of composition calculations in GaxIn₁-xAs alloys. And a comparison of the calculated results for transition energy between by the DMM[I] and by the ERF[4] are made, we also use of both methods to get the values for the bowing parameter C are 0.545 eV and 0.318 eV respectively, among which the former value (0.545 eV) agrees quite well with those determined experimentally (0.52 eV),[3] whilst the latter value (0.318 eV) doesn't so. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。