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題 名 | Study on the Resistivity Control of the Czochralski Silicon Single Crystal Growth=柴式矽單晶成長之電阻係數控制研究 |
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作 者 | 羅吉宗; 林俊華; | 書刊名 | 大同學報 |
卷 期 | 21 1991.11[民80.11] |
頁 次 | 頁153-162 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 矽單晶成長; 柴式; 控制; 電阻; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 以個人電腦輔助精確加摻雜物於CZ矽單晶成長過程,已證實對生產線助益不少。 CZ 矽單晶成長變數如何影響軸向和徑向電阻係數變化已做仔細實驗與分析, 氧含量與分佈 對晶片品質影響亦被討論。 |
英文摘要 | The personal computer aided dopant control process is proved very convenient for practical production line. The influence of the CZ growth parameters on the axial and radial resistivity variantions are studied. The influence of oxygen concentration and distribution on the crystal quality are also discussed. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。