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題 名 | 離子佈植氧化層抗輻射理論模式之研究 |
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作 者 | 詹中宇; 李德善; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 19:2 1991.01[民80.01] |
頁 次 | 頁91-98 |
分類號 | 339.2 |
關鍵詞 | 佈植; 抗輻射; 氧化層; 離子; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 熱生長氧化層經離子佈植後雖已證實可增加M0S元件的抗輻射能力, 但產生抗輻射的原因則尚未有明確的理論提出,本文於是利用輻射在氧化層內誘 發產生電子-電洞對,經分離、傳輸、補捉與復合等機制而建立一理論模式,利 用理論模式計算各種不同點子補捉陷阱分佈對輻射後電荷分佈的影響,發現離子 佈植氧化層產生抗輻射的原因,是負電荷之電場作用與電子-電洞對分離率隨電 場變化,兩者效應加乘的結果,使氧化層在界面處的正電荷減少,而增加抗輻射 性能。 |
英文摘要 | Ion implanted thermal oxide has been experimentally proved a good insulating layer for radiationhardness of MOS devices. The mechanism of its radiation hardness, however, is unknown yet. In thispaper, we propose a simple physical model to analyze how the radiation induced electrons and holestransport and how they are trapped in the ion-implanted thermal oxide during irradiation. This modelaccurately predict the final oxide charge distribution in the oxide layer by assuming various electrontrap distributions in the ion implanted oxide layer. Further analysis of the model has shown that thefinal oxide charge distribution is influenced by the internal electric field due to its own charge distribution. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。