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| 題 名 | 非晶半導體的能隙狀態密度=The Gap State Density in Amorphous Semiconductors |
|---|---|
| 作 者 | 蘇賢錫; | 書刊名 | 師大學報 |
| 卷 期 | 29 1984.06[民73.06] |
| 頁 次 | 頁553-558 |
| 分類號 | 337.472 |
| 關鍵詞 | 半導體; 非晶; 能隙狀態; 密度; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 英文摘要 | A one-electron theory of non-equilibrium trap occupancy in amorphous semiconductors has been proposed, resulting in simple expressions for electrons in states above the equilibrium Fermi level. The state density is then obtained by transient photoconductivity analysis. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。