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題 名 | 反射式光譜干涉技術應用於先進半導體蝕刻製程結構均勻性量測 |
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作 者 | 謝文淇; 顧逸霞; | 書刊名 | 量測資訊 |
卷 期 | 216 2024.06[民113.06] |
頁 次 | 頁40-51 |
分類號 | 448.65 |
關鍵詞 | 反射式光譜干涉技術; 半導體; 蝕刻製程; 量測; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 由於電晶體關鍵尺寸的逐年縮小已面臨物理極限,因此全球積極朝向提高單位面積立體堆疊 元件數量的設計方向發展,開發3D IC封裝製程成為延續摩爾定律(Moore’s Law)最重要的方法。 隨著量產製造過程產能及良率要求增加,使得開發非破壞性、快速、可即時回饋、優化製程的量 測方法至關重要。本研究研發反射式光譜干涉量測技術,可整合在晶圓製程做為線上即時量測工 具。實驗證實應用在高深寬比蝕刻製程的矽通孔(TSV, Through Silicon Via)結構深度量測,具備 單點量測及分析時間 < 0.5 s等優勢,並根據量測模組的即時回饋數據,給予製程端調整反應性離 子蝕刻條件參數,可逐步有效地提升整片晶圓蝕刻深度均匀度 ≤ 2.47 %。 |
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