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題 名 | 藉由在界面層上覆蓋鉿或鋯改善鍺金氧半電晶體的可靠性研究=Improved Reliability Characteristics of Ge MOS Devices by Capping Hf or Zr on Interfacial Layer |
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作 者 | 李彥霖; 張廖貴術; 李震謙; 張育維; 揚孟穎; 蔡尚甫; 許奕文; 黃晉修; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 24:1 2017.03[民106.03] |
頁 次 | 頁17-21 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 介面層; 鍺金氧半導體; 鉿; 鋯; Interfacial layer; Ge MOS; Hf; Zr; |
語 文 | 中文(Chinese) |